關於 g line波長 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 光刻(1)-光刻机大比拼 - 知乎专栏

UV：Ultraviolet，紫外光，光源波长400nm以下，使用汞灯发出紫外光，可以产生波长436nm的紫外光（G-line），405nm的紫外光（H-line）、365nm的紫外 ...

#12. 第一章緒論 - 國立交通大學

原本根據國際半導體技術藍圖（ITRS）. 所預估的微影技術需求如圖2.1：微影技術的曝光波長從過去的G-line（436 奈米），I-line. （365 奈米），一直發展到現在的深紫外光（ ...

#13. 微影技術,光罩,曝光機,Critical Dimension,G-line,I-line ... - CTIMES

但是隨著線路的CD越來越小，我們就必須需要更短波長光源的曝光機，因此曝光機的波長從汞燈的G-line(0.436微米)、I-line(0.365微米)到準分子雷射的KrF(0.248微米)以及 ...

#14. 微影

◇0.35um的半導體微影製程中，常見的光源波長. ➢ g line（光源波長4360A）. ➢ i line （光源波長3650A）. ◇新的製程所用的光源波長KrF雷射（光源波長2480A的深.

#15. KrF、ArF、ArFi、EUV六代光刻机，中国处于什么水平？ - 维科号

g 线、i线、KrF、ArF、ArFi、EUV六代光刻机，中国处于什么水平？ ... 而I线（I－line）使用的是365nm波长的光源，这两种光刻机，也叫做紫外光刻机。

#16. ASML - 從高壓汞燈到EUV極紫外光☄️ - Facebook

我們最早使用的光源是高壓汞燈，可產生436nm (g-line)、365nm... ... line)、365nm (i-line)波長的紫外光。 ... F)的同時，由於雷射光光源的幾大特性：波長單一（一

#17. 極紫外光微影—延續摩爾定律的重要技術 - 核能研究所

半導體產業之所以能快速發展，有很大一部分原因要歸功於光學微影技術， 1970年代，利用汞燈產生的g-line(436 nm波長)的曝光系統問世時，光學微影就因其高效率和產能 ...

#18. 曝光源問題 - 德揚光電

我們的標準曝光源，波長範圍為NUV(Near UV)含有I-line， H-line， G-line三個光束，適用你們的需求。 Q. 我要曝光的基板是6吋方， I-line曝光的能量約150mJ/cm2，請問 ...

#19. 智芯研報| 從g-Line 到EUV，探究ASML如何造就市場護城河

第一代光刻機光源是g-Line，波長為436nm，可以滿足0.8-0.35 微米製程晶片的生產，對應設備有接觸式和接近式光刻機。第二代光刻機光源是i-Line，波長 ...

#20. 知識力

紫外光(UV：Ultraviolet)：光源波長400nm以下，使用「汞燈(Mercury lamp)」發出紫外光，可以產生波長436nm的紫外光(G-line)，405nm的紫外 ...

#21. 台湾东应化股份有限公司| 半导体材料(前段)

g -Line Resist; i-Line Resist; KrF Resist; ArF Resist; EUV Resist. 半导体制造. g-Line Resist. TOK g线光阻. TOK制造436nm波长膜厚1um到7um用g线光阻，同时也在g ...

#22. UV 汞燈系統 - 進光科技有限公司

... 及可調控光源波長讓RD在研發用曝光機可以切換產用曝光機的光譜)、光學元件。 規格. 尺寸 汞燈系統：4”-12”. 波長. I、H、G Line為主，也可以客製化設計所需光譜。

#23. 積體電路精彩的摩爾旅程- 數目爆增的神奇魔力 - iCometrue

(G-line/I-line)、深紫外光(DUV)，一直到現在的極紫外光(EUV)。 摩爾定律(Moore's Law)：光波波長的摩爾遊戲. 光的波長. 摩爾定律.

#24. 第一章、簡介

G -line(波長436 nm)及汞氙燈I-line(波長365 nm)的0.35 ~ 0.5 微. 米製程技術，進展到目前的利用氟化氪(KrF)準分子雷射(波長248 nm). 及氟化氬(ArF)準分子雷射(波長193 ...

#25. 微影照像

-12m），光源. 的唯一選擇是雷射。 表1.1 各種微影技術之比較. 波長 λnm. △λ/λ. %. 最小線寬. Rmin，nm. 聚焦景深. （DOF），nm. 備註. G-line.

#26. 意即防止微塵或揮發氣體污染光罩表面 - Micro Lithography, Inc.

... 所使用的光源波長，硝化纖維素(nitrocellulose)是最初被採用的薄膜材質而且這類薄膜是使用於g-line (436 nm) 或i-line(365 nm)的晶圓曝光機或寬頻投射晶圓步進機。

#27. 國家奈米元件實驗室南部分中心

曝光波長：寬頻(broad band，350-450nm， g、 h、 i-line); 曝光均勻度（Uniformity）<= 5%. 曝光模式（Printing Modes）及解析度（Printing Resolution）（光阻厚度 ...

#28. Light & lasers - Lithography principles - ASML

Our first lithography systems used this setup to create blue light with a wavelength of 436 nanometers (nm), known as the mercury g-line.

#29. EUV光刻，最終勝出！

光刻技術採用的光波長也隨之從436nm、365nm、248nm，向193nm、13.5nm等延伸迭代。 ... 第二代為接近式光刻機，使用光源也為436nm的g-line和365nm的i-line，曝光方式為 ...

#30. 光刻机经历了5代产品发展。光源波长从... - 雪球

光源波长从436nm缩小到13.5nm。 g-line ：最早光刻机的光源是汞灯产生的紫外光源，1980年前后采用g-line光源，波长为. 436nm，制程节点为800-250nm。

#31. 【中银半导体系列1】【光刻胶】进口受制于人，国产I-line

按曝光波长，光刻胶可分类为G-line、I-line、KrF、ArF d&ArF i、EUV等光刻胶，2018年，全球光刻胶市场规模17亿美元，占半导体材料行业的5%，而中国大陆光刻胶市场规模 ...

#32. 半導體產業不可或缺的曝光機，是「這些企業」的心血結晶！

... 圖所示，曝光機的光源在過去多年的發展從包括g-line和i-line在內的高壓汞 ... 對於未來，有人甚至認為曝光機的光源有望從13.5nm 波長的EUV 進入到 ...

#33. KrF、ArF、ArFi、EUV六代光刻机，中国处于什么水平？ - 网易

g 线、i线、KrF、ArF、ArFi、EUV六代光刻机，中国处于什么水平？ ... 而I线（I-line）使用的是365nm波长的光源，这两种光刻机，也叫做紫外光刻机。

#34. 6025光罩背后的故事 - 36氪

摩尔定律的见证. 一块光罩的背后，是半导体产业发展的缩影。从g line和i line时代(波长365nm)横平竖直和 ...

#35. 黃光玻璃/橘光玻璃/黃光室玻璃::::維妙實業有公司

早期曝光機的光源為全光譜光源,後演進到G-line(436nm)光源,目前最廣泛使用的 ... 例如常被用於黃光室的5mm黃色壓克力透明板,在I-line(365nm)波長附近卻有不少的穿透率 ...

#36. TWI512413B - 微影系統及對準系統 - Google Patents

另外，藉由使用可調式光源，對準系統100具有一簡單架構及結構，用以實現多波長對準 ... 舉例而言，發光源136可能為波長為436nm(G-line)或是365nm(I-line)的一水銀燈 ...

#37. 摘取光刻机皇冠上的明珠——ASML

EUV光刻机是目前最先进的光刻机，采用EUV光源，使用的光波波长只有13.5nm，NA（数值 ... g-line. 800-250nm. 接近式. 光源. 波长.

#38. 光刻机助力中芯国际产业链产能快速扩张

采用汞灯，从g-line 到l-line，波长缩小至365nm，完成0.35 µm 以上工艺；深紫外（DUV）光源采用准分子激光，. KrF 对应波长248nm，可完成工艺 ...

#39. 應用UV - LIGA 於導光板模仁之製作研究

光源來製作，UV 光源波長有I line(365nm)和G line(436nm)兩種光源，. 並可利用厚膜光阻實現高深寬比之製程。 此UV-LIGA 製程技術主要有下列三種:.

#40. 应粉丝要求还是科普下光刻机和制程之间的关... 来自芯片德云社 ...

光刻机按照光源分为G-line 波长436，i-line波长365nm，KrF波长248，ArF 波长193，F2波长157nm，EUV波长13.5nm。其中ArF ,KrF,F2波长属于深紫外DUV ...

#41. 永光化學獨創光阻劑配方，強化台灣IC在地供應鏈 - 數位時代

「光阻劑」是縮短曝光波長必備的電子化學品之一，尤以日本大廠競爭最激烈， ... 關鍵技術：I-LINE、G-LINE正負型光阻；高膜厚、高解析的化學增幅型光 ...

#42. 润湿液在IC先进微影制程所扮演的角色 - 百度文库

... 隨著積體電路日益發展，曝光的波長也由g-line，I-line，KrF，ArF和浸潤式的ArF， ... 減少顯影後缺陷(defect)及改善光阻表面的LER (Line Edge Roughness)的挑戰。

#43. Chap6 微影PDF - Scribd

0.35um的半導體微影製程中，常見的光源波長¾ g line（光源波長4360A） ... 先進微影技術‹光源方面，除了248nm的深紫外線外，波長更短的193nm DUV光源技術，已進入量產 ...

#44. 極度依賴進口的半導體設備（萬字深度報告）

光刻機由光源波長進行區分可以分為可見光（g-line），紫外光（i-line），深紫外光（KrF、ArF）以及極紫外（EUV）幾大類，當前最先進的3nm製程只能 ...

#45. 日本光刻胶大厂断供我国多家晶圆厂！一文读懂光刻胶有多重要 ...

按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻 ... 因此深紫外光刻胶采取了与i-line和g-line光刻胶完全不同的技术体系，这种技术体系被称为化学 ...

#46. SXAR-P 3500/8 posi PR - Techpoint

曝光波長: 寬頻紫外線, i-line (365nm) , g-line (436nm). high plasma etching resistant, thermal stable up to 300 °C. 耐電漿蝕刻,耐溫可達300℃.

#47. Spectrometer

with a distance between the lines comparable ... 波長為之單色光垂直入射於光柵後，於繞射角滿足 ... 汞燈的兩個波長(I-line 與G-line)被應用在半導體製程的曝.

#48. 妳應該懂的--微影技術(Lithography)

所以，很多工程師們都朝著改善光源波長的方法，將原件增加在固定不變的晶圓面積中。以現在的製程最常見的波長是G-Line(436nm)及I-Line(365nm)的350nm、 ...

#49. 2019年中国光刻机行业市场现状、行业格局及发展趋势分析

光刻设备从光源(从最初的g-Line,i-Line发展到EUV)、曝光方式(从接触式到步进式,从干式投影到浸没 ... 光刻机波长不断缩短、制程节点不断提高,波长从436nm(g-Line)缩短 ...

#50. G・I線レジスト - 東京応化工業は

I線ポジ型フォトレジスト ... I線（365nm）に感光波長を有するフォトレジストです。ストリエーションが少なく、Lineで最小0.35μm、Holeで最小0.4μmの高解像性が得られます。

#51. 芯片制造：光刻机和刻蚀机的“江湖”_设备_nm_g-line - 搜狐

经过多年发展，光刻机已经演化出五代产品，由光源波长进行区分可以分为可见光（g-line），紫外光（i-line），深紫外光（KrF、ArF）以及极紫外（EUV） ...

#52. CH 4 生產微機電元件之關鍵製程微影製程. - SlidePlayer

23 曝光光源汞燈(Hg) G-line 波長436 nm（常用於學校） I-line 波長365 nm（常用於0.35微米的IC製程中） KrF產生深紫外光(Deep UV)，用於0.25微米的IC製程 Excimer ...

#53. 扇出型封裝面臨哪些光刻技術的挑戰？ - 尋夢科技

相反，他們使用的光刻機波長更長，如436nm（g-line）、405nm（h-line）和365nm（i-line）三種波長。 在封裝過程中，一些步進式曝光機僅具備i-line波長，而 ...

#54. 成功大學電子學位論文服務

本研究所合成之壓克力系高分子，經由紫外光光譜儀測試得知最大吸收波長約在230nm左右，故可應用於g-line (436nm)、i-line (365nm)和ArF (193nm)等光蝕刻微影技術。

#55. 部落格| 顯微影像系統的核心—OLYMPUS的特殊物鏡介紹（三）

所謂的色散差，是指不同波長的色光對於透鏡來說具. ... 稱fluorite）等級物鏡則修正了C-line，F-line以及G-line；最高階的Apochromat物鏡則是上述三條 ...

#56. 低驅動電壓雙空乏區致電-吸收光調制器 - ResearchGate

微影成像的原理是利用曝光機( G-line : 436nm 的紫外光波長)及光. 罩，將元件圖案經由光學成像的原理轉換到試片上，其步驟如下: <a>掀離液( Lift-off resist LOR )塗佈 ...

#57. 关于DUV光刻机的一些讨论 - Redian新闻

... 的数值，光刻机的光源在过去多年的发展从包括g-line和i-line在内的 ... 对于未来，有人甚至认为光刻机的光源有望从13.5nm波长的EUV进入到波长介 ...

#58. 深度分析！2021年中国半导体光刻胶市场发展现状分析晶圆厂 ...

为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向g线(436nm)i ... 其中，北京科华、上海新阳和徐州博康均布局了i/g line胶、KrF胶和ArF胶 ...

#59. ASML，不仅仅是光刻机巨头 - 36氪企服点评

为了在晶圆上刻下线宽越来越小的电路，ASML在过去几十年的发展里一直在挑战瑞利判据的极限——降低入射光源的波长，提高数值孔径。这也推动他们从g-line ...

#60. 光刻机助力中芯国际产业链产能快速扩张 - Moomoo

工艺节点主流为0.35μm、0.25μm、0.18μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、16/14nm、10nm、7nm 等。紫外光源采用汞灯，从g-line 到l-line，波长缩小至365nm ...

#61. 半導体製造装置用語集（リソグラフィ : Lithography）

ArFエキシマレーザー光、波長193 nmを露光光とする露光手法。 i線露光 (i-line Lithography) ... g線レジスト (g-line Resist). 波長435 nm のg線リソグラフィで用いる ...

#62. 【产业信息速递】关于DUV光刻机的一些讨论 - 世展网

... 的数值，光刻机的光源在过去多年的发展从包括g-line和i-line在内的 ... 对于未来，有人甚至认为光刻机的光源有望从13.5nm波长的EUV进入到波长介 ...

#63. 半导体材料·光刻胶投资宝典 - 投研数据库

其中降低曝光波长与光刻机使用的光源以及光刻胶材料 ... g-line 与i-line 光刻胶均使用线性酚醛成分作为树脂主体，重氮萘醌成分（DQN 体系）作为感光 ...

#64. 2012年4月26日 - 家登精密工業股份有限公司

Next G eneratio ... 因EUV波長太短，現無光學材料可以折射EUV，故光學系統設計為反射式，包括光罩本身也是. 反射式。 黃光技術. 發展. 年代. 曝光波長 ... i-line.

#65. 极紫外光刻光源的研究进展及发展趋势 - 中国光学期刊网

光刻分辨率的提高可通过减小曝光光源的波长、减小工艺因子或增大投影透镜的 ... nm（2%带宽）的极紫外光（EUV），其光源波长缩小到了g-line的1/30。

#66. 全電式奈米級連續壓印設備與製程技術之研發

象，造成曝光失敗致使圖案糢糊，因此使用的光波波長需小於光罩最小線寬，波長愈短製. 造技術之解析度亦愈高，從早期半導體製程技術所採用的光源G-line(波長436nm)與.

#67. China: 【华源原创】从专利角度看光刻机创新主体 - Mondaq

第一代光刻机光源是g-Line（波长为436nm），以及之后采用的汞灯光源（波长为365nm）进行光刻，此时加工的芯片精度极限大约是250nm。

#68. 光刻机的几个关键部件介绍，怎样分析光刻机性能- 五度易链

最早光刻机的光源是采用汞灯产生的紫外光源(UV: Ultraviolet Light)，从g-line一直发展到i-line，波长缩小到365nm，实际对应的分辨率大约在200nm以上。

#69. Evolution and Progress of I-Line Photoresist Materials

... 在g-line(436nm)、i-line(365nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长 ...

#70. 关于黄光及其100个疑问，这篇文章已全面解答 - 中华显示网

76、近代光刻技术分哪几个阶段? 答：从80'S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line（438nm）, ...

#71. 宽波段图案晶圆检测系统 - KLA

... 的可选宽波段光照模式（宽波段紫外线、宽波段可见光、I-line和G-line）以及高数值孔径(NA)， ... i-line波长更短，因而在低分辨率的工艺层上能够提高2367对于微小.

#72. 对准曝光机vs. 步进式曝光机 - 原位芯片

然而在封装厂，由于特征尺寸更大，封装厂无法使用此波长的设备。相反，他们使用的光刻机波长更长，如436nm（g-line）、405nm（h-line）和365nm（i ...

#73. ASML科普，EUV光刻机的奇迹之路 - 技术邻

在光刻技术中，使用较短的光波长使芯片制造商能够缩小尺寸并增加芯片上 ... 汞蒸气灯，称为g-line，后来，产生了365 nm 的紫外(UV) 光，称为i-line。

#74. 科技小辭典》EDA與EUV - 自由財經

微影設備是利用光線的波長來加工精密尺寸的晶片，俗稱為「蝕刻機、光刻機」。最早微影設備光源是採用汞燈產生的紫外光源，從g-line發展到i-line，波長 ...

#75. 光刻机发展历程 - 激光打标机

... 使用光源分别为436nm的g-line 和365nm的i-line，接触式光刻机由于掩模与光刻胶 ... 开发成功推出第一台浸没式光刻机。193nm 光波在水中的等效波长缩短为134nm，足 ...

#76. 日本光刻胶供应不足，看好国产替代的先锋队

资料来源：亚化咨询，光大证券研究所整理. 表2：不同类型的光刻胶对应的制程工艺. 光刻胶VS 制程工艺. 光刻机曝光波长. G-line 436nm. I-line 365nm.

#77. 芯片制程黄光室专用LED平板灯的应用 - 半导体芯科技

光刻制程是芯片制程的关键之. 重，它利用各种波长光线对光. 刻胶进行曝光，才能制作出纳. 米级的电子线路，包括436 纳米的. G-line、405 纳米的H-line、365 纳.

#78. 高端光刻胶再次告急这家公司产品获多家晶圆厂导入 - 财联社

资料显示，北京科华成产品覆盖KrF (248nm)、l-line、G-line、紫外宽谱的光刻胶及配套 ... 光刻胶是半导体光刻工艺的关键材料，按照曝光波长可分为g线、i线、KrF、ArF ...

#79. 一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 - 化工仪器网

按照曝光波长分类；光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻 ... g-line与i-line光刻胶均使用线性酚醛成分作为树脂主体，重氮萘醌成分（DQN ...

#80. 一文看懂光刻胶 - 电子工程世界

按照曝光波长分类；光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻 ... 虽然g-line光刻胶和i-line 光刻胶使用的成分类似，但是其树脂和感光剂在 ...

#81. 取代光刻机！又一芯片制造新技术诞生，可量产5nm芯片？

从第一代g-line光源开始，到目前最先进的EUV设备，波长已经压缩到13.5nm。 不管如何变化，使用光刻机造芯片已经是司空见惯了。但日本企业似乎研制出新的 ...

#82. 什么是计算光刻？NVIDIA改变游戏规则光掩模产量可增加3-5倍

ASML从g-line光刻机发展到DUV光刻机和现在的EUV光刻机。例如，在DUV光刻机中249nm和193nm是最常见的波长（λ），EUV光刻系统的光源波长为13.5nm。

#83. 一个公式打天下，ASML总监讲解光刻机关键技术 - 萨科微半导体

市场主流光刻机的光源波长，也从1980年代的436纳米（所谓g-Line），缩小到如今13.5纳米的极紫外波长。在光刻机领域，ASML并不是一开始就像现在这样 ...

#84. 中国光刻机行业市场现状与竞争格局分析

光刻机波长不断缩短、制程节点不断提高，波长从436nm(g-Line)缩短到134nm(ArF-i)，然后缩短到13.5nm(EUV)；光刻系统满足的技术节点从0.5μm到45nm， ...

#85. 芯片制造：光刻机和刻蚀机的“江湖” - 老虎社区

经过多年发展，光刻机已经演化出五代产品，由光源波长进行区分可以分为可见光（g-line），紫外光（i-line），深紫外光（KrF、ArF）以及极紫外（EUV） ...

#86. Eternal Materials - 長興材料工業股份有限公司

*For i-line & h-line (wavelength:365 & 405nm). * For pitch 40μm ... 適用i-line與h-line 波長. *優良蓋孔能力 ... Tenting ability (strength, g/mm²).

#87. 【兆恒机械】光刻机详解——半导体工业界最为耀眼的明珠.

之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源（DUV），将波长进一步缩小到ArF的193 nm。 ... 1、最初的两代光刻机：采用汞灯产生的436nm g-line 和365nm i-line 作为光刻 ...

#88. g 線 - ウシオ電機

g 線とは、波長436nmの水銀のスペクトル線のこと。 ... このうち、可視域の波長435.835nm≒436nmのスペクトル線をg 線と言う。 →スペクトル線を参照。 ※この波長を利用した ...

#89. 光刻机技术解析- 吴建明wujianming - 博客园

最早光刻机的光源是采用汞灯产生的紫外光源(UV:UltravioletLight)，从g-line一直发展到i-line，波长缩小到365nm，实际对应的分辨率大约在200nm以上。

#90. 高端光刻机为什么难“买”又难“造”？ ssd新闻存储新闻 - 闪德资讯

最早的光刻机采用汞灯产生的紫外光源，从g－line一直发展到i－line，波长从436nm缩短到365nm。随后，业界利用电子束激发惰性气体和卤素气体结合形成的气体分子， 向 ...

#91. 关于黄光及其100个疑问，这篇文章已全面解答…… - 行家说

76、近代光刻技术分哪几个阶段? 答：从80'S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line（438nm）, ...

#92. RSP - 銘乾的分享空間

Pellicel也因此被大幅應用於436nm(G-line)、365nm(I-line)、248nm及193nm等波長的黃光微影製程技術上，而且已經發展出非常成熟的產業規模。

#93. 关于DUV光刻机的一些讨论- - 电子工程专辑

... 的数值，光刻机的光源在过去多年的发展从包括g-line和i-line在内的 ... 对于未来，有人甚至认为光刻机的光源有望从13.5nm波长的EUV进入到波长介 ...

#94. 激光是如何推动光刻机产业发展的？ - 武汉隽龙科技股份有限公司

根据瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)，我们能做的就是降低波长λ，提高镜头的数值 ... 光源分别为436nm的g-line和365nm的i-line，接触式光刻机由于掩模与光刻胶 ...

#95. 強化台灣IC在地供應鏈！永光化學獨創光阻劑配方

「光阻劑」是縮短曝光波長必備的電子化學品之一，尤以日本大廠競爭最激烈，而永光化學發揮優勢滿足客戶需求，成IC製程全台唯一G＆I-Line光阻劑供應商 ...

#96. 日本光刻胶存断供风险，A股光刻胶板块大涨 - 观察者网

... 中芯国际在内的部分客户认证，并实现批量供货；晶瑞股份g-line/i-line光 ... 目前半导体光刻胶最常使用曝光波长分类，主要有g线、i线、KrF、ArF和 ...

#97. 上海微電子28nm光刻機明年交付！意義何在？ - 夸克微科技

光刻設備從光源（從最初的g-Line, i-Line 髮展到EUV）、曝光方式（從接觸 ... 光刻設備光源波長的進一步縮小將推動先進製程的髮展，進而降低芯片功耗 ...

#98. ITU-T G.983.3 (2001) Amd. 1 (06/2002)

ITU-T G.983.3建议书介绍了“通过波长分配提高服务能力的宽带无源光网络（B-PON）系统”可能没有 ... G.980-G.989: Optical line systems for local and access networks.