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【集邦論時事】儘管在 #3D_NAND 領域有許多不同技術，但他們最終目的同樣是希望在降低成本的同時擁有更佳的效能或更高的密度。
現今，該領域正從 92/96 層堆疊技術發展到 100 以上層級堆疊；隨著使用更高階如 PCIe 4.0 接口，許多新產品採用具備 4 個平面 (Palne) 架構，以達到更佳的性能。
短期內，我們仍希望看到 #NAND 供應商持續提升層級堆疊技術，不過，隨著堆疊層數的增加，所需的技術也會更加具備挑戰性。
The key factor to develop higher layer #3D_NAND is to etch as much layers as possible in one time and to stack more tiers in the mono die.
Currently, most of #NAND_Flash suppliers are able to itch 90-100 layers per tier and then double stacked, while #Samsung is the only one to be able to etch over 130 layers in their V6 product.
That could be very helpful as other suppliers may need to face the issues caused by triple-stacking technology while Samsung can compete against with mature double-stacking technology at 2XX layers generation.
【集邦論時事】#美光 宣布的176層 #3D_NAND 是其第二代替換閘（Replacement Gate）架構產品，將應用於 SSD 和 UFS 解決方案中，以替代當前的96層產品。
美光目標從2021年第二季開始向 #SSD 和 #UFS 送樣，這將使其成為進入1YY時代的領先公司之一。
與 96層產品相比，這項新產品更具備成本優勢及能提高產量。這也使得美光能在市場供過於求的狀態下維持營利。
3d_nand 在 Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) 的推薦與評價
3D NAND is a technology inflection that enables higher density memories. Want to see how a structure is made? This video shows film stack ... ... <看更多>