#電源設計 #高壓隔離型閘極驅動器
【整合「米勒箝位」，驅動 IGBT 更安全有效】
絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 在切換開關時，常遭遇「米勒效應」(miller effect) ——反相放大電路，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由於放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大 1+K倍 (K 值為該級放大電路電壓的放大倍數)；造成電容與輸入電阻產生低通濾波效應，使高頻訊號衰減。所幸，內建「米勒箝位」(Miller clamp) 的閘極驅動器 (Gate Driver)，可解決此問題並提供電路保護。
整合米勒箝位，一來可將電路閘極電荷接地，抑制閘極電壓上升、避免故障；二來當閘極電壓低於臨界值，會穩健關斷 IGBT 單軌電源，以帶有或不帶有米勒箝位的單極性／雙極性副電源工作。此外，集成去飽和檢測電路，可提供高壓短路 IGBT 工作保護，包括降噪特性；如需提高抗噪水準，內部消隱開關也支援增加外部電流源。此類「晶片級變壓器」還提供晶片高壓域與低壓域之間的控制資訊隔離通訊，晶片狀態可從專用輸出回讀；一旦器件副電源發生故障，可重設器件。
「共模暫態抗擾度」(CMTI)、傳播延遲及傳播延遲偏差，是另外三項重點指標。CMTI 對於氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等新型開關技術尤其重要；該數值越高越好，代表輸入與輸出的訊號沒有失真。低傳播延遲和低傳播延遲偏差，可讓設計人員盡可能減少高壓側和低壓側開關之間的「死區」(dead-band，又稱無感應區或靜滯帶)，改善馬達控制驅動、太陽能逆變器和 DC-DC 電源的效率和性能。
演示視頻：
《ADI----ADuM4135高壓隔離型閘極驅動器》
http://www.compotechasia.com/a/CTOV/2016/0414/31667.html
#亞德諾ADI #ADuM4135 #iCoupler
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