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在碳化矽基氮化鎵gan這個產品中，有2篇Facebook貼文，粉絲數超過2萬的網紅COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化，也在其Facebook貼文中提到， #微波雷達通訊 #X波段 #碳化矽基氮化鎵GaN-on-SiC 【探測及防禦型雷達首選：X波段】 依發射波形區分，雷達系統有脈衝 (Pulsed) 和連續波 (CW) 兩大類。前者是以方形脈衝波偵測目標，可同時偵測多個目標為其優勢；後者強在所需設備簡單、佔用頻寬不大且發射效率高，在同等條件下...

碳化矽基氮化鎵gan 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文

COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 By COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

2021-02-05 14:30:00 有 99 人按讚
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#微波雷達通訊 #X波段 #碳化矽基氮化鎵GaN-on-SiC

【探測及防禦型雷達首選：X波段】

依發射波形區分，雷達系統有脈衝 (Pulsed) 和連續波 (CW) 兩大類。前者是以方形脈衝波偵測目標，可同時偵測多個目標為其優勢；後者強在所需設備簡單、佔用頻寬不大且發射效率高，在同等條件下可實現更遠的通訊距離。

在通訊頻段方面，頻率為 8～12GHz、波長在 3cm 以下的 X 波段雷達 (XBandRadar，縮寫：XBR)，由於視角廣 (上下左右各 50 度) 且能 360 度旋轉偵查各個方向，是探測及防禦型雷達的首選。

上述雷達產品組合涵蓋：MMIC (單片微波積體電路)、IM-FET (反轉式接面電晶體) 和基礎電晶體，關鍵指標如下：
●MMIC：微型、包覆成型的 QFN 封裝為佳，且具備多種功率位準、高增益及高效率特性；
●IM-FET：高效能、50Ω 建造模組，以支援高功率系統；
●電晶體：高準確度的塑模支援，可提供最大的靈活性以優化放大器設計。

此外，擁有各種功率等級、高每級增益和高附加功率效率 (PAE)，可因應尺寸、重量、功率和成本 (SWaP-C) 持續演進，以便驅動新一代陸、海、空雷達平台，例如：氣象、空中交通管制、火控及其他基於國防和商業的系統；而具有高電子遷移率的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體，可在更高頻率支援更多增益。

延伸閱讀：
《X 波段雷達產品組合》
https://www.digikey.tw/zh/product-highlight/c/cree-wolfspeed/x-band-radar-portfolio?dclid=CMCWyfLa0O4CFdgGlgod_yQMpA

#Cree #Wolfspeed #Digikey

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2002年，憑藉獨特敏銳度察覺到電子業界需求，《COMPOTECHAsia電子與電腦》於中國大陸取得《COMPOTECHChina》月刊發行權，為初到海外發展及當地讀者出具最具前瞻性且中肯的觀察，具有相當影響力，也成為一流國際大廠競相展示研發心血的首選。 2006年，有鑑於網路環境日趨成熟，《COMPOTECHAsia電子與電腦》再度領先同業，首創線上視頻平台CTOV (COMPOTECH Online Video)。自此，成為整合紙本、網站、電子報及線上視頻的全方位媒體。 2016年，為貫徹市場應用及開發技術的連結並擴大群眾基礎，陸續展開 Facebook、Twitter、LinkedIn 等社群平台經營。 「就市論勢、就勢論市」是我們的信念。我們將於每週一、三、五下午在 FB 分享生活中隨處可見的科普知識，以平易近人的方式，用不一樣的角度觀察市場趨勢和技術走向，並不定時穿插轉載網路精彩佳作或趣聞。記得設為「搶先看」哦！ “COMPOTECHAsia/ China” issue on 8th monthly. It is the dependent media which focuses on electronic industry situation, end user market, and technology trend. The monthly magazine has become the main channel to get professional information for engineers, purchaser, R&D employees and decision-making management. We perceived the demand of electronic industry and strive to get the distribution rights of “China Edition” in Mainland China in 2002. It gives a lot of prospective and proper observation for the overseas workers and local readers. Gradually, COMPOTECH is getting to be the powerful. Nowadays, COMPOTECH is the first-choice platform for the first-class firms to display their R&D results. Furthermore, in 2006, we were ahead of our competitors to build the CTOV platform (COMPOTECH Online Video) due to the mature internet environment. Since then, COMPOTECH has become the integrated media. For having a thorough knowledge of market applications and technology migration, as well as expanding the base of the masses, we begin to manage the Facebook, Twitter and LinkedIn etc. in 2016.
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碳化矽基氮化鎵gan 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最讚貼文

COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 By COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

2020-11-20 14:30:01 有 80 人按讚
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#寬能隙半導體WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #氧化鎵Ga2O3 #功率器件 #智慧功率模組IPM #5G通訊

【SiCＸGaN，開啟功率新時代】

被視為「戰略物資」的第三代半導體——以碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 為首的二元 III-V 族「寬能隙」(Wide Band Gap, WBG) 化合物半導體，原就挾著耐高溫、耐高壓、切換快、效率高 (耗損低) 等優異物理特性而備受關注，近來更因被中國「十四五計畫」點名列入重點扶植對象而再掀熱議；特斯拉 (Tesla) Model 3 採用 SiC 功率器件及小米科技發佈 GaN 手機充電器，更將之推向高潮。

碳化矽約有四成在車用 (含汽車電子與電動車週邊)，目前業界於電動車較積極導入碳化矽的主要裝置／部件包括主驅逆變器 (inverter) 與車載／車外充電器，儘管 SiC-SBD (蕭特基二極體) 的市場因國際貿易摩擦而放緩，但由於能源、汽車和工業需求維持增長，預計市場將繼續擴大；至於氮化鎵，「製程介面」(基板材料) 是其應用的最大關鍵，分為：碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 和矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 兩種。

延伸閱讀：
《「寬能隙」半導體的現在與未來》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46364.html

#工研院產科國際所 #科銳Cree #穩懋 #環宇 #嘉晶 #OMMIC #天岳先進材料科技 #三安光電 #華潤微電子 #江蘇能華微電子 #海威華芯 #英諾賽科Innoscience #Transphorm #信越化學Shin-Etsu

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#56. 使用SiC 與GaN 電源元件來滿足電動車的設計需求 - DigiKey

汽車電力電子產品的設計人員需要使用先進的寬能隙半導體(WBG) 材料，才能達到效率與功率密度的要求。 這些材料主要由氮化鎵(GaN) 和碳化矽(SiC) 組成，兩 ...

#57. 氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）寬能隙半導體大煉金SEMI與 ...

全球晶片荒的現象推升車用電子供應鏈的不確定性，半導體成為各國重要戰略與產業發展的焦點。除了矽晶圓為主的半導體產業鏈之外，化合物半導體與功率元件的發展儼然成為 ...

#58. 65W-1A2C接口氮化镓（GaN)充电头 - OFweek电子工程网

氮化镓 是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。业界认为，在未来数年间，氮化镓功率器件的成本可望压低 ...

#59. 65W-1A2C接口氮化镓（GaN)充电头 - 技术邻

2023年数码圈中说较多的莫过于氮化镓（GAN）充电头。 ... 氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却 ...

#60. 电子行业第三代半导体行业深度报告：电力电子器件领域

... 包括了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是制造高压大功率电力电子器件的 ... 第三代半导体分类典型代表用途III族氮化物GaN在军事领域GaN基微波功率 ...

#61. 《电动汽车电力电子技术及市场-2023版》-面包板社区

在本报告中，IDTechEx深入研究了电动汽车电力电子产品，剖析了不断发展的半导体和封装材料，包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体、芯片 ...

#62. 【財金即時通】得碳化矽基板者得天下！ - YouTube

電動車不可或缺的電子元件就屬第三代半導體 以 碳化矽Sic 與 氮化鎵Gan 兩種化合物半導體為代表 其中 碳化矽 基板又有多重要呢⁉快聽聽LEO怎麼說 一起掌握 ...

#63. 未来十年汽车半导体发展重点在哪里？ - 电子工程世界

... 消耗大量的半导体，前者将从硅过渡到性能更高的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术。 ... 令人感兴趣的是激光雷达驱动的非硅基半导体需求的增长。

#64. 镓锌合金导热系数专区 - 上海有色

镓锌合金导热系数资讯信息尽在上海有色金属网. ... 全球首个量产200W快充面世氮化镓快充赛道持续火热诸多痛点仍待解. 2022-08-01 ...

#65. 河北中瓷电子科技股份有限公司发行股份购买资产并募集配套 ...

团公司第十三研究所关于氮化镓通信基站射频芯片业务资产中瓷电子 发行股份 ... 氮化镓/GaN 指 一种无机物，化学式为 GaN，第三代半导体材料碳化硅/SiC ...

#66. 江苏省人民政府政府办公室(厅)文件省政府办公厅印发关于推动 ...

高标准建设国家第三代半导体技术创新中心，为产业发展提供源头技术供给。开展基于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等单晶衬底及外延材料制备，推动宽禁带 ...

#67. Omdia调研发布《中国人工智能框架市场调研报告》

使用机器学习设计复杂形状的GaN基亚波长光栅反射器 基于机器学习的方法 ... Neo5原装240W氮化镓充电器 今天充电头网就带来realme真我240W氮化镓充电器 ...

#68. 深耕金刚石半导体“应变工程”，重塑微纳制造新高度 - 铁合金在线

据介绍，5G第三代半导体应用中可供选择的两种主要材料是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）。而具备更宽带隙的氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）和金刚石又被 ...

#69. 【財金即時通】得碳化矽基板者得天下！ - Facebook

電動車不可或缺的電子元件就屬第三代半導體 以 碳化矽Sic 與 氮化鎵Gan 兩種化合物半導體為代表 其中 碳化矽 基板又有多重要呢⁉

#70. 国资委：加大对集成电路等关键领域的科技投入；中芯国际

半导体产业早已实现全球化，高度依赖全球分工与合作，美方滥用出口管制措施的做法 ... 总投资预计为6亿元：一期投资为1.5亿元，建设SiC、GaN封装测试产线；二期拟投资2 ...

#71. 宽带隙半导体市场2023 洞察和精确展望—Mersen - e时代周报

该报告根据类型将全球宽带隙半导体市场细分为：. 碳化硅(SiC) 基板. 氮化镓(GaN) 衬底. 金刚石基板基板. 氧化镓基板. 氮化铝(AIN) 基板.

#72. 2023年新能源汽车产业链十大投资热点（电动化篇） - 虎嗅

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，目前新能源汽车功率半导体还是以硅基的IGBT、MOSFET为主。由于第三代半导体材料SiC、GaN具有禁带宽度大 ...

#73. 新電子 06月號/2021 第423期 - 第 110 頁 - Google 圖書結果

Cody J. Watkins 成本像TI GaN FET便採用矽基氮化鎵製程,並運用現有TI處理技術節點。如此不僅能夠避免使用碳化矽或藍寶石等昂貴的基板,更可運用業者在矽晶技術的專業。

#74. 工欲善其事必先利其器，碳化硅衬底市场群雄逐鹿 - 股票报告网

... 中第一代硅Si材料应用最为广泛第二代半导体主要以化合物材料砷化镓GaAs磷化铟InP为代表第三代半导体主要以化合物材料碳化硅SiC氮化镓GaN氮化铝AlN ...

#75. 新電子 03月號/2022 第432期 - 第 84 頁 - Google 圖書結果

基於SiC的單向OBC採用更少的主動功率(電路)元件降低了系統複雜性,這可以實現更低的系統 ... 針對3.3kW和6.6kW充電器,氮化鎵(GaN)和矽基超接面(SJ)技術可與SiC 競爭, ...

#76. 新電子 05月號/2022 第434期 - 第 19 頁 - Google 圖書結果

「基於GaN的電源技術,將逐步擴散到工業跟資通訊電源市場。 ... 陳清源 根據電動車需求爆發,讓原本屬於利基型技術碳化矽(SiC)功率元件,在短短幾年內成為兵家必爭之地。

#77. 諾貝爾獎得主天野浩：將用GaN 繼續改變世界 - 知勢

半導體材料的發展，已從第一代的矽、第二代的砷化鎵（GaAs）／磷化銦（InP）、演進到如今以氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）為主的化合物半導體。

#78. 氮化镓的参数（英诺赛科、安世、大连芯冠）数据手册.第三代 ...

GaN 一般有硅 基氮化镓 和 SiC基氮化镓 ，前者用来做功率器件，后者用来做射频放大器。•硅 基氮化镓 电力电子器件 ，级联式 氮化镓 电力电子器件。•宽禁带半导体主要是指禁带 ...