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挑戰創意與物理極限 -- 非揮發性記憶體的過去與未來
常見的記憶體種類中，DRAM(動態隨機存取記憶體)及SRAM(靜態隨機存取記憶體)屬於揮發性記憶體；flash memory(快閃記憶體)，ROM(唯讀記憶體)、EEPROM(電子式可抹除程式化唯讀記憶體)等，則是非揮發性記憶體。一般而言，揮發性記憶體讀寫的速度快，適合配合CPU(中央處理器)，作為資料或程式碼的暫存空間，而非揮發性記憶體則用來長期保存資料。
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【Intel與Micron攜手推出新種類記憶體3D XPoint】#內有影音
Intel與Micron日前共同發表新款記憶體3D XPoint，號稱比現有的快閃記憶體 耐久度和速度均快上1000倍，儲存密度為動態隨機存取記憶體的10倍。
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人類在 1947 年發明第一個隨機存取記憶體（RAM）之後，大約 10 年之內就會再另外發明新式的記憶體類型，用以解決當下的問題困境。但是自從 1989 年由東芝發表 NAND（反及閘）形式的非揮發性記憶體後，距今已有 25 年未有新型態的記憶體問世。
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Intel 和 Micron 日前舉辦發表會，推出共同研究的新結構的非揮發性記憶體，稱之為 3D XPoint。強調比現今使用 PCIe∕NVMe 介面的 NAND 快上千倍，耐久性也是千倍，接近動態隨機存取記憶體（DRAM） 的資料吞吐速度，儲存密度更是動態隨機存取記憶體的 10 倍以上。
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