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【抓住超級趨勢~投資翻倍賺】
時間:2021/8/8
發文:NO.1290篇
大家好,我是 LEO
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❖產業巨擘投入第三代半導體
八月五日「鴻海」出手震撼市場,宣佈以 25.2億收購旺宏在竹科的 6吋晶圓廠,目標鎖定生產第三代半導體碳化矽SIC元件,鴻海董事長劉揚偉預估,2024年晶圓月產能可達1.5萬片,每月可供應3萬輛電動車的功率元件需求,藉此讓台灣在電動車產業取得世界領先地位,LEO認為這只是第一步,到2030年全球電動車年銷售估計超過 5500萬輛/年,這是很棒的大願景但是該如何築夢踏實呢?
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鴻海以代工起家,蘋果光在中國紅色供應鏈的搶單與蘋果供應商分散策略下,逐漸退色,一代霸主開始尋找新的舞台,跨入電動車領域成立MIH車電大聯盟,意圖掌握新一代電池材料研發,與車用晶片領域—跨入第三代半導體,每一步都瞄準未來十年產業趨勢,眼光相當精準。
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台灣最早跨入第三代半導體領域的漢磊(3707) 歷經10年練兵後,終於在今年第二季EPS由虧轉盈繳出 $0.13元的成績,上半年財報EPS $0.07元,世界先進佈局超過 4年,今年下半年才開始小批量生產,台積電2017年與納微半導體(Navitas)合作-它是世界上第一家生產氮化鎵(GaN) 功率IC的公司,2013年成立於美國加利福尼亞州,2020年台積電與意法半導體共同宣布加速市場採用氮化鎵產品,市場趨勢成形,穩懋、全新、宏捷科、環球晶、晶成半導體、盛新材料(太極持有64%)、穩晟材料(大股東-矽力杰、中砂)都耕耘已久,鴻海憑什麼快速克服前期漫長學習取線?
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❖借力使力-彎道超車
鴻海取得旺宏 6吋廠後,預計後續還要砸下數十億投資生產第三代半導體設備,錢對鴻海來說並不困難,關鍵是「生產設備的參數」,整個半導體產業最重要的源頭就是上游的「長晶」,掌握「碳化矽基板者得天下」。汽車用的第三代半導體SIC晶圓叫做N型(導電型),應用在5G通訊用的SIC叫做SI(半絕緣型),盛新材料是國內唯一,可以同時量產N型SIC與SI型SIC晶圓的公司,因為它直接技轉中科院的技術與人才,就好像資質平庸的武道家在偶然機遇下拿到一盒充滿靈氣的上品混元丹,免去漫長的試誤法,加上自身的後天努力取得正確的關鍵參數直接晉升一代武學宗師。
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它厲害的地方在於 1.生產SIC晶圓的晶種是自己做的(成本低),2.在超過2000度的長晶爐裡,精準掌握熱場、流場、電性均勻度控制,用X光檢測晶體乾淨品質佳,媲美國際大廠水準,3.廣運(6125)集團母公司掌握自製機台,成功在5RUN完成熱場測試,製成調整,產出 6吋N型SIC晶錠,換句話說-這代表掌握新機台快速大規模量產的關鍵。
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如果鴻海找上廣運(6125)添購設備、盛新材料購買晶種,取得關鍵生產參數,掌握最上游的長晶後,包含IC設計、晶圓製造、到後段封測將可提供一條龍服務。
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❖鴻海5G戰略背後的佈局
鴻海旗下工業富聯(FII)斥資39億元增資旗下蘭考裕展智造科技,增產5G小型基地台與模組等產品,意圖擴張中國大陸5G設備市占率,在日本方面夏普推出小規模用5G設備,搶攻日本工廠與辦公室市場,售價是目前市價的五分之一,可望在日本市場攻城掠地。
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在台灣鴻海旗下亞太電信與遠傳電信 5G 共頻共網,未來電動車、自駕車的發展也與5G網路息息相關,這跟第三代半導體又有什麼關聯呢?原來SI半絕緣型SIC它的特色是:可以提高射頻及PA元件的功率,熱傳導性與電場擊穿係數,較「矽元件」提高十倍以上的功率密度,非常適合應用在新一代5G通訊,自動駕駛交通工具,以及雷達衛星系統,LEO相信鴻海走這一步棋是經過縝密籌畫的結果。
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❖第三代半導體小知識科普
到底SIC長晶有多難? 碳化矽長晶時,晶種放在石墨坩鍋根本無法觀察長晶情況,因為溫度高達2000度以上,打開就注定壞掉,原料都無法重覆使用,每一爐 7天才能生長 2公分厚度,SIC有 200多種晶態,要在高溫高壓環境長出6吋晶錠是非常困難的一件事,等於是矇著眼睛射飛鏢,到底有多難要比較才知道,矽晶圓3~4天可以長 200公分,長晶溫度約 1400度,量產尺寸最大 12吋,碳化矽SIC長晶 7天只長2公分,溫度 2200~2500度間,目前主流為 4~6吋。
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盛新材料的良率為何比其他競爭對手高?困難點在於不管4吋 6吋,所有的晶型與晶向都要一致(SiC有兩百多種晶型),一般要4H晶型,其他廠商拿箭瞄準射靶,射中就是良品,沒射中就失敗,盛新則是從機台到材料、熱場、製程、電性控制,以"軌道"的概念,穩穩地把箭輸送到靶心上,良率自然高可以跟世界級大廠匹敵。
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經過 LEO的分享,相信大家知道「碳化矽長晶」與「矽晶圓長晶」是截然不同層次的技術,所以價格差距也相當驚人,注意喔 12吋矽晶圓大約100美元/片,4吋碳化矽晶圓大約 1000~1200美元/片,6吋碳化矽晶圓更恐怖約 2500~3000美元/片,更誇張的是5G通訊用的半絕緣型SI價格又是電動車用N型碳化矽的 3倍左右,所以,同時掌握N型與半絕緣型碳化矽長晶技術的盛新材料與自製長晶爐設備廣運(6125)我的研判,也許不一定是現在,但有朝一日將成為產業界的明日之星。
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半導體 製程 雷 射 在 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所 Facebook 的最佳貼文
【線上演講公告】類神經計算元件與量子光源~~免費~~歡迎自由參加
講者:林皓武博士 / 國立清華大學材料系
時間:July 8 (Thursday) 1:30-3:00 PM
Google Meet 會議
https://meet.google.com/pna-ykft-dks
Abstract
鹵化鈣鈦礦半導體材料有許多特殊且有趣的光電性質,除了現今國際學界與業界積極投入的鈣鈦礦太陽能電池的應用外,在雷射、光偵測器、發光顯示元件、環境感測器等方面近年來皆有相當多的團隊相繼開發出來,並展現過去前所未有的優異特性。我們團隊自2013年起,投入鈣鈦礦材料的開發,前幾年以太陽能電池應用出發,發展出真空蒸鍍與噴霧合成等獨特的製程方法。近年來,我們將這些特有的技術,拓展到類神經計算元件與量子光源等新應用。本演講會先展示如何用鈣鈦礦材料實現此兩項新型光電電子元件,再討論其他材料實現這些應用的可能性與挑戰。
Biography
林皓武博士2002年畢業於台灣大學電機系,並於2007年獲得國立台灣大學光電博士學位。曾於友達光電任職。林博士於2009年2月加入國立清華大學材料系,現職為清大材料教授。近期的研究包含鈣鈦礦光電元件、有機光電半導體材料與元件、下世代類神經計算元件、光電量測技術與量子光電材料。林博士發表多篇ESI Highly Cited 論文 (Top 1% in the field in 10 years)。目前H-index 43,i-10指數89。曾經獲得有庠科技論文獎、傑出人才基金會年輕學者創新獎、中國材料學會年輕學者獎、台灣真空學會年輕學者獎、科技部傑出研究獎等獎項。
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