應用電子學實驗1 1 分壓電路multisim的mutlimete以及 DC bias point analysis ... 【教學】焊接電子電路，理解 原理 什麼都會焊. 黃信惠的瘋狂教室. ... <看更多>
dc bias原理 在 應用電子學實驗1 1 分壓電路multisim的mutlimete以及DC bias ... 的推薦與評價
Search
Search
應用電子學實驗1 1 分壓電路multisim的mutlimete以及 DC bias point analysis ... 【教學】焊接電子電路，理解 原理 什麼都會焊. 黃信惠的瘋狂教室. ... <看更多>
#1. 5、乾貨!掌握這兩個電壓(Vdc&Vpp),就理解了DRY ETCH微觀原理
Vdc是一種直流偏壓（DC），也稱爲自我偏壓（self bias voltage），是DRY ETCH原理上非常重要的一個參數，下面通過平行板反應離子蝕刻機台進行說明。
#2. 轉載:ICP工藝的基本原理是什麼@ Chinganchen的部落格 - 隨意窩
ICP工藝的基本原理是什麼（論壇討論） ICP刻蝕工藝的基本原理是什麼 一個RF POWER產生 ... 一般情況，射頻系統在激發plasma以後，為了避免DC bias進入匹配網絡發生反饋 ...
#3. 5、干货！掌握这两个电压（Vdc&Vpp），就理解了DRY ETCH ...
Vdc是一种直流偏压（DC），也称为自我偏压（self bias voltage），是DRY ETCH原理上非常重要的一个参数，下面通过平行板反应离子蚀刻机台进行说明。
#4. 變壓耦合式電漿製程設備之蝕刻率批片控制Wafer to wafer ...
includes source power、bias power、chamber pressure、gas flow etc. Based ... 蝕刻原理及電容耦合式電漿源(capacitive coupled plasma)與變壓.
對於PECVD 原理及形式進行簡介，及對應於In- ... 二、超高頻電漿增強式鍍膜設備原理 ... DC Bias. Grounded. Breakdown V oltage. Paschen curves for widely-used.
#6. 電漿源原理與應用之介紹
熱電漿火炬大致可分為電感偶合電漿火炬. (Inductively Coupled Plasma Torch ，簡稱為ICP. Torch)、交流電漿火炬(AC Plasma Torch)及直流電漿火. 炬(DC Plasma Torch)等 ...
#7. 7 Plasma Basic 7 Plasma Basic
Plasma Potential & DC Bias. Plasma Potential ... DC bias. RF potentials. • Lower RF power. • Smaller DC bias ... DC Bias of CVD Chamber Plasma. Grounded.
#8. 2-1 濺鍍技術
以下介紹磁控濺鍍的原理，以及本實驗所採用的「非平衡磁控濺鍍系 ... 2-1 為直流-雙極式(DC-diode)輝光放電示意圖。 ... 可)，此即為偏壓濺射(Bias Sputtering)。
#9. 「vpp vdc rf」懶人包資訊整理 (1) | 蘋果健康咬一口
vpp vdc rf資訊懶人包(1)，PECVD製程原理,電漿原理、CVDCleanendpoint介紹、電漿 ... DC Bias = (-Vdc + Vpp). ,Radio Frequency)電源及微波(MW, Microwave)電源， ...
#10. Understanding DC Bias - Corial
Inductively Coupled Plasma (ICP) etching provides the benefit of nearly independent control of chemical and physical contributions to the ...
#11. 5、干货！掌握这两个电压（Vdc&Vpp），就理解了DRY ETCH
2020年7月5日— Vdc是一种直流偏压（DC），也称为自我偏压（self bias voltage）， . ... 圖2.12 電漿蝕刻作用 ... ,PECVD 製程原理, 電漿原理、CVD Clean endpoint ...
#12. 電漿製程技術
操作原理已十分清楚：the mobile plasma e-, responding to the instantaneous ... 由dc glow discharge or rf excitation所產生的低溫電漿，LTE的條件通常是不會發生 ...
#13. 射頻-Bias Tee - 今天頭條
Bias Tee的常見用法是將其與RF源和DC電源連接，如下圖所示。 在這種配置下，RF輸入可以 ... 我希望這個插圖本身能把Bias Tee的原理解釋得足夠清楚了。
#14. 輸入電容的選擇 - Tech Web
與前次同樣，想像DC/DC轉換器電流的流動，溫習輸入及輸出電容會有何種性質的電流流動。 ... 3）使用陶瓷電容時：溫度特性和DC偏壓（bias）特性.
#15. 電容dc bias 測量隨偏壓變化的MLCC電容(2) - 藥師+全台藥局 ...
設計人員往往忽略高容量、MLCC隨其DC電壓變化的特性。所有高介電...圖4：VBIAS=0V時的測量結果 ... 測量隨偏壓變化的MLCC電容(2). 電容dc bias ... mlcc dc bias原理 ...
#16. 干法刻蝕模式及原理 - 每日頭條
另外，如果要獲得化學和物理刻蝕，可以在下電極裝產生偏置（Bias Voltage）的RF發生器（一般頻率小於13.56MHz），可利用控制RF power的大小來控制Bias ...
#17. 測量隨偏壓變化的MLCC電容 - 電子工程專輯.
設計人員往往忽略高容量、MLCC隨其DC電壓變化的特性。所有高介電常數或II類電容(B/X5R R/X7R和F/Y5V特性)都存在這種現象。然而，不同類型的MLCC變化量 ...
#18. PECVD去除二氧化矽與RIE的區別是什麼？ - 微百科
RIE腔體，RF不管是加在上電極還是下電極，只要下電極維持高的DC bias就行。 ... 答：由於ICP與PECVD的工藝原理有差別，所有PECVD一般沒有DC BIAS和VPP ...
#19. 对陶瓷电容器施加直流电压时静电容量是否会发生变化？此外
关于DC偏压特性的原理 陶瓷电容器中的高诱电率系列电容器，现在主要使用以BaTiO3 (钛酸钡) 作为主要成分的电介质。 BaTiO3具有如下图所示的钙钛矿(perovskite) 形的 ...
#20. 電漿實驗室- 羅玉林老師的網頁 - Google Sites
射頻濺鍍機基本原理乃根據離子濺射原理，當高能粒子(通常是由電場加速的正離子)衝擊到固體表面， ... 開啟Power並打開Shutter，並觀察DC Bias值與電漿顏色是否正常!
#21. 高密度感應耦合電漿設備之電漿特性與其蝕刻機制研究
產生,並以一絕緣板與電漿分隔,其原理乃是 ... 的RF射頻產生器以形成的自我偏壓(Self DC. Bias)。機台結構如圖一所示。 ... Plasma Density - DC Bias.
#22. 電漿鍍膜技術:電漿濺鍍(DC)
磁控濺鍍原理與薄膜濺鍍技術 ... Schematic diagram of DC powered sputter deposition equipment ... Sometimes bias sputtering of the wafer is desirable. This.
#23. bias-t基本简介
此时需要使用一个器件，即Bias Tee，它的作用是将DC信号和RF信号混合到 ... 原理与内部结构非常简单，但对于工作频率要求很高的场景，结构会复杂得 ...
#24. 電容耦合- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
這項技術可以對兩個耦合的電路的直流偏壓（英語：DC bias）進行隔離。因此，電容耦合有時又被 ... 其主要原理是在平板電容器兩端施加交變的電壓，從而使能量發生傳輸。
#25. 新人訓練中心開辦選修課程(設備元件基礎& 機台基礎)
電漿的形成原理. 2. 電漿設計的種類與原理. 3. DC bias原理. 4. 電漿的應用. 1. 塗佈(Coating)技術介紹. 2. 光放射光譜(OES)原理. 與應用. 3. e-Sensor. 4. 電離器介紹.
#26. Plasma 基本概念（2）Self Bias - 知乎专栏
RF自偏压(self bias) 如果腔体电极接上RF power时，电极表面所带电荷的变换 ... 和正弦波中原理一样，由于电子的运动速度远远大于阳离子的运动速度。
#27. 5電晶體偏壓電路
要驗證分壓器是否有固定輸出，必須檢查從B極端看進去的DC. 輸入阻抗： ... Bias). 茲分析BJT分壓器偏壓電路對基極電路的負載效應。從 ... 6-1 放大器的工作原理. DC ...
#28. 自我偏壓
何謂Self Bias: Vdc? 所謂Self Bias是指在RF印加部發生之DC成分電壓。 ... 濃度計、血糖計等，此類應用廣泛，本文僅以血糖計作為量測說明2 原理說明什麼是糖尿病正常 ...
#29. 靜電吸盤的基本構造和原理
這種情況下，通常需要用反向的靜電壓來強制消除殘留電荷，然後才能釋放晶片。 8。在有等離子體的情況下，由於直流自偏壓（self DC bias）的緣故，即使關掉被接 ...
#30. 偏置器（Bias Tee)工作原理与应用 - 微波射频网
高频电感：隔离交流信息，防止高频信号泄露到供电系统。 三个端口：. · 射频端口RF · 直流偏置DC · 射频和直流RF+DC. 应用场合. A） ...
#31. Lab 1：HSPICE 介紹目的： - 輔仁大學學術資源網
雖然支援SPICE 的軟體多，但它們基本的原理大同小異，都是以SPICE 的演算 ... 直流偏移、交流有效值→ 指定弦波的直流偏移(DC offset) 及交流有效.
#32. 高能量脈衝式等離子磁控濺射技術High Power Pulsed Plasma ...
偏壓電源（bias）；. • 工藝控制（Process control） ... 脈衝直流（pulsed DC);. • 脈衝（pulse);. • 工藝（Process） ... DC Power Supply.
#33. 電感之種類與其特性分析 - Richtek Technology
根據電磁感應原理，當線圈與磁場有相對運動，或是線圈通過交流電流產生交變磁場 ... 額定電流IDC與ISAT、以及鐵芯損失（core loss）等等重要的電氣特性都必須考慮。
#34. 直 源測試
應用模組:電動車車載系統、電動車渦輪增壓系統、DC-DC電源模組 ... LCR+DC Bias 頻率響應100-3M. 100-10M ... 的課題，無線充電的原理下，是採用電感線圈與磁.
#35. Rf sputter 原理
DC power is usually preferred for electrically conductive target ... case of DC sputtering, and in case of rf sputtering the imposed DC bias ...
#36. bias tee作用 - 軟體兄弟
高阻抗DC 線圈會導致電壓下降 ... ,【E课题】偏置器（Bias Tee)工作原理与应用. 作者：时间：2017-06-14来源：网络收藏... 【E课堂】常用汽车传感器作用总结.
#37. RF電路的偏壓方法 - 作敏
因此，最重要的功能就是"RF和DC電路不能互相影響"。可以看下圖做一個示意。目前我們有一個最芭樂的一級放大器，然後我們的Matching 電路也已經做完了。
#38. The Importance of DC Self-Bias Voltage in Plasma Applications
In reactive ion etching (RIE) plasma processes, the parameter known as DC self-bias voltage is an important “control knob” for the ion ...
#39. What is MLCC - T&G 帝傑科技有限公司
2) 電容器基本原理: C (電容量) = εk( A/D )× n ------------------(公式 ... 3) DC Bias : 電容值及DF 值在直流電(不同之伏特數) 下之變化. NPO, X7R, Y5V 基本之比較.
#40. 偏置器（Bias Tee)工作原理与应用 - 微波EDA网
高频电感：隔离交流信息，防止高频信号泄露到供电系统。 三个端口：. · 射频端口RF · 直流偏置DC · 射频和直流RF+ ...
#41. 當年度經費： 736 千元 - 政府研究資訊系統GRB
關鍵字：交換偏壓；MgO；NiFe/NiO；高解析電子顯微鏡；超導量子干涉儀；第一原理. 本文利用DC離子槍與Rf離子槍輔助鍍膜，在MgO上沉積NiFe/NiO雙層薄膜，藉由調控不同 ...
#42. 离子刻蚀的原理及其功能，结构简介 - 九州电子
静电吸盘按照原理分为库仑力静电场吸附和Johnsen-Rahbeck 效应两种，主要是利用吸盘上所加高电压（HV）与硅片上因等离子效应而产生的负电压(DC Bias) ...
#43. (PDF) Study on Self-bias on Dielectric Substrate in RF Plasma
PDF | Self-bias voltage of the dielectric substrate surface and voltage of the driven electrode were experimentally ... 图1 射频等离子体系统实验装置原理图.
#44. 偏置器（Bias Tee)工作原理与应用-知识工厂 - 兆亿微波商城
高频电感：隔离交流信息，防止高频信号泄露到供电系统。 偏置器三个端口：. · 射频端口RF. · 直流偏置DC. · 射频 ...
#45. rie icp 原理
其基本原理是先在半導體材料表面加工成型特定圖案的掩模，然后用ICP-RIE設備控制刻蝕氣體 ... /min (Cl2:Ar=35:5，ICP 1000 W ，dc-bias -250V ，pressure 4 mTorr)。
#46. 5-1 直流工作點5-2 固定偏壓電路5-3 回授偏壓電路5 ... - 本章目錄
兩點，所得之直線即為直流負載線(DC load line)。 (4)從電路中找出I ... 固定偏壓電路(fixed-bias configuration)，如圖5-2-1所示. ，用一個高電阻值之R.
#47. Bias Tee简介- 云+社区 - 腾讯云
这篇笔记简单介绍下Bias Tee的工作原理。 在有源器件（包括硅光调制器、探测器、激光器等）的测试中，需要让PN结工作在一定的DC偏压下，然后输入或者 ...
#48. 應用電子學實驗1 1 分壓電路multisim的mutlimete以及DC bias ...
應用電子學實驗1 1 分壓電路multisim的mutlimete以及 DC bias point analysis ... 【教學】焊接電子電路，理解 原理 什麼都會焊. 黃信惠的瘋狂教室.
#49. 高容量MLCC測不準？原來你忽略了這六個因素 - iFuun
標稱電容量, 測量頻率, *測量電壓（AC）, 直流偏置(DC Bias). I類MLCC, ≤ 1,000Pf, 1MHz ± 10%, 0.5?5Vrms(通常為1Vrms), 沒有直流偏置.
#50. Agenda
阻抗量測基本原理介紹. 品勛科技有限公司 ... DC bias voltage dependency of type I ... DC bias current dependency of cored inductors.
#51. PDF檔僅限學校教師搭配紙本教材用於課堂教學
另外，DC output power（直流輸出功率）、DC（dc）bias circuit（直 ... 245 emitter bias circuit n. 射極偏壓電路 ... 電磁感應原理；電磁感應定理.
#52. 【Maker電子學】稽納二極體的原理與應用 - MakerPRO
可以看到，當它在正偏壓（forward bias）時，會有一個0.7 V 左右的偏壓，如果加在它上面的電壓比這個偏壓高，電流就會幾乎無限制的增加（以維持這個偏 ...
#53. 搜索结果_变压器设计里面的DC BIAS 是什么，DCB 的意思
磁芯DC bias 和BS 有什么直接关系吗 亲，你好，如果想了解这方面的问题，你可以直接去，请问这方面的专家？ . 2019-01-30 热心网友. 什么是振荡变压器?DC-DC的原理是 ...
#54. 微電子學(上)
面電晶體，對BJT 工作原理、電流電壓特性曲線及主動區和飽和區的行為等 ... 靜態點(quiescent point)，或是直流偏壓點(dc bias point)。現在吾人將欲.
#55. icp 電漿原理
ICP-OES 基本原理一、 前言年代感應耦合電漿(inductively coupled plasma,ICP)開始 ... 蝕刻參數，如摻入不同氣體，氣體流量，dc-Bias，chamber pressure，ICP power等 ...
#56. 一種嶄新的功率管理機制應用於非接觸式感測系統 - 畢業離校 ...
with the DC bias, which can be utilized for the green energy application. ... 非接觸生理感測器皆利用都普勒(Doppler)雷達原理，當一射頻訊號至胸.
#57. 自我補償式蘭牟爾探針之製作與量測 - 龍華科技大學
針上利用DC Voltage Current Source/Monitor. 給單探針一個偏壓，再利用LabVIEW 軟 ... 蘭牟爾探針診斷系統的量測原理是藉 ... Films Deposited by Reactive Bias.
#58. Electronic Instrumentation and Measurement - 國立成功大學 ...
DC bias, voltage and current (直流偏壓) ... 量電壓及電流，從而得到阻抗值，工作原理近似於 ... NA法:以信號反射原理找出待測物的阻抗，主要應用於射頻及微.
#59. 安捷倫科技- 參數量測手冊第三版 - Keysight
第一章：參數測試基本原理. ... 先前討論了需要進行Kelvin 量測的情況以及Kelvin 量測的基本原理。藉由將驅動線 ... 高直流偏壓CV (High DC Bias CV)，187 頁.
#60. Bias Tee: Bias-T|偏置器|T型偏置器|隔直器
主要供应Bias-T系列产品高品质，性价比高，颇受市场欢迎. ... 我司优势供应Bias-T系列产品，频率涉及DC-65GHZ。客户常用的型号我们已有 ... Bias Tee隔直器技术原理.
#61. 建議 型 南
Dc Bias 電流/圖形掃描 ... 在頻率100Hz 下串聯電容值為9.70uF，利用6632 阻抗分析儀施加DC Bias ... 的課題，無線充電的原理下，是採用電感線圈與磁.
#62. 實驗二：波形產生器與示波器之使用一
40dB：可將輸出電壓縮小百倍，可調整電壓振幅範圍約從0.01V 至. 0.1V。 (4) 直流準位（平均電壓）調整：使用DC Offset 之旋鈕，可調整輸出訊. 號平均電壓之 ...
#63. 偏置电压,bias voltage英语短句,例句大全 - X技术
分析了采用脉冲偏置电压读出电路的大面阵(20×40)视型非制冷焦平面的原理。 4.Effect of miniband overlapping on generation of dc bias in a resistively shunted ...
#64. 以可調 平衡式恆流源驅動雷射架構設計與製作光纖 線電視 ... - IR
For optical fiber cable television (CATV) systems, the DC biasing architecture for driving laser ... 有燒毀雷射二極體之虞，故本文將其工作原理與設計程序.
#65. Bias-tee在射频测试中的应用
Bias -tee在射频测试中的应用. ... Bias-tee是一个三端口器件，三个端口分别是RF-in，DC-in，RF+DC-out。 ... 矢网原理图如下：. Bias-tee偏置器位置.
#66. 耐压测试仪_直流电子负载_数字功率计- TH2901-1A偏流板
TH2901-DC BIAS TH2901-1A偏流板. 规格书下载 索取报价. 性能特点. □ 可编程. □ 电流：0‐1A. □ 适用于：TH2829AX/2829BX/2829CX.
#67. 正體中文
本文詳述系統電路中各時間區段的電路動作原理，再利用電腦模擬軟體Pspice及Matlab ... Since there are the dc bias current problem and core saturation problem in ...
#68. 直流偏壓- 英漢詞典 - 漢語網
【直流偏壓】的英文單字、英文翻譯及用法：dc bias直流偏壓。 ... 根據鈮酸鋰晶體的電光特性，分析了電光振幅調制器的調制原理，討論了直流偏壓對輸出光波特性的影響。
#69. 阻抗分析儀, TH2838 20Hz~2MHz - 台灣百科精密儀器股份有限 ...
TH2838，TH2838H，TH2838A 是採用當前國際先進的自動平衡電橋原理研製成功的新一代 ... 掃描點數 最多201點掃描參數 測試頻率、AC電壓、AC電流、DC BIAS電壓、DC BIAS ...
#70. 02.txt
... AC-DC load line 35:00 rc 38:00 re之作用，+/4電路分析，fixed bias，general ... 怎麼抓到重點，用到時就立即投入，讀書兩層，原理層精讀，應用層放書籤，要用才 ...
#71. BA45F5xxx內建類比前端於感煙探測器應用須知 - Holtek
本章節介紹獨立感煙探測報警器應用電路與AFE 原理說明，應用於不同廠牌的 ... SDS0、SDS1 導通，給OPA0 正向輸入端提供DC Bias，目的為避免輸出訊號 ...
#72. icp ccp 原理– icp vs ccp - Elkomso
Use of ICP with CCP to control DC bias Ion Energy • Beyond simple DC biasing for ion energy control JP McVittie Stanford, PEUG May 07 Why We Use RF • DC ...
#73. 【E课题】偏置器（Bias Tee)作业原理与使用 - 86IC科技网
高频电感：阻隔交流信息，避免高频信号走漏到供电系统。 三个端口：. · 射频端口RF. · 直流偏置DC. · 射频和直流RF+DC. 使用场合. A) ...
#74. 采用直接RMS 至DC 轉換的精準LVDT 信號調理
LVDT 的工作原理 ... 圖1：LVDT 信號調理的一種新方法，它把一個LTC1967 RMS 至DC 轉換器 ... BIAS. AMPLITUDE. DN362 F01. 1/2 LT1720. 1/2 LT1807. 1/2 LT1807.
#75. Ceramic or electrolytic output capacitors in DC/DC converters ...
capacitance with high bias voltage and are inexpensive. ... article describes the design of a DC/DC supply with mixed ... 为了阐明该原理，本.
#76. CN102592062A - 一种变压器直流偏磁动态漏电感计算方法
据调查，基于新保护原理的变压器保护判据主要基于回路方程或漏电感参数。 ... XIAOJUNZHAO ET AL: "Analysis of the DC Bias Phenomenon by the Harmonic Balance ...
#77. A Fluxgate-Based Current Sensor for DC Bias Elimination in a ...
A prototype is demonstrated for dc bias elimination control in a. ... 本文介绍了工作原理和设计注意事项。演示了DAB 转换器中直流偏置消除控制的 ...
#78. 電路設計專欄— PD + Flyback | Adaptive 最適化顧問
External Pre-Regulator：在Flyback IC 尚未導通，DC Bias Winding (直流線圈) 尚未供電時，由此或者RSTART ... Flyback 連續導通模式動作原理.
#79. 直流偏磁抑制措施研究综述-《高压电器》
Title: Reviews of the Restraining Measures of DC Bias ... 中性点串联阻容法等方法的原理进行了综述，主要从技术和经济上比较了各个措施的优缺点，对这些抑制措施在 ...
#80. 留意直流偏差效應MLCC電容損耗免煩惱 - 新電子雜誌
拜技術極速發展之賜，越來越多的應用採用多層陶瓷晶片電容器(MLCC)。然而，人們在設計中經常忽略一件事，即是直流(DC)偏壓行為會影響2類(Class 2)陶瓷 ...
#81. 中華大學碩士論文
超外差式接收器[2]的基本架構如圖2-1 所示，其工作原理如. 下：由天線(Antenna)接收到的射頻信號經過 ... 直流準位偏移(DC offset)是因逆向阻隔的兩種情況所造成的。第.
#82. PECVD去除二氧化硅与RIE的区别是什么？ - 头条问答
2、Plasma内化学性腐蚀是没有方向性的，但是离子的轰击有方向性，就是靠Plamsa的正负离子的移动产生DC Bias, 该DC bias的大小除了与RF，腔体结构有关外，还与电极的 ...
#83. 偏壓電源 - 中文百科知識
偏壓電源（Bias power supply ）是真空電弧離子鍍及其它真空物理氣相沉積設備中一個 ... 整流部分採用單相橋式整流模組，實現AC/DC的轉換；濾波環節採用濾波電容來.
#84. 采用可削减直流偏磁集成磁件Cuk变换器的结构简化
Simplification of Cuk Converter Whose dc-bias in Integrated Magnetics can be ... 使电路拓扑结构简单的开关变换器，在分析可削减直流偏磁Cuk变换器原理的基础上， ...
#85. 低電阻測量-四線式精準測量0.01Ω的原理_jp1234567的博客
提醒各位，每家廠商的LCR配件基本上都大同小異，我這裡只是以我手邊有的東西做說明而已。 Digest from Hioki DC bias current unit. 測量電阻大家都做過， ...
#86. Re: [問題] constant gm bias 設計問題- 看板Electronics - 批踢踢 ...
引述《tomlin1106 (奇德)》之銘言： : : 最近在研究constant gm bias電路 ... 這樣講就把DC跟AC混在一起了，基本上差4倍就是為了constant-gm，原因我 ...
#87. 在0.15 μm 製程下Bias Tee 之設計原理與方法
摘要：本篇論文介紹在0.15 um 製程下bias tee 的設計原理與方法,文章主要分為五個部分,分別為電路的基本介紹、電路架構、RF 端電路設計、DC 端電路 ...
#88. 偏置器（Bias Tee)工作原理与应用 - 21IC
高频电感：隔离交流信息，防止高频信号泄露到供电系统。 三个端口：. · 射频端口RF. · 直流偏置DC. · 射频和直流RF+DC. 应用场合. A) ...
#89. 國家教育研究院雙語詞彙、學術名詞暨辭書資訊網
學術名詞 機械工程 · 學術名詞 機械工程 · 學術名詞 機械工程 · 學術名詞 機械工程 ; dc amplitude voltage motor · DC arc welding · dc backup power · DC bias ...
#90. 合并单元直流偏置对母线保护的影响分析及解决方案
基于母线保护装置采样值差动原理，从动作行为方面分析了合并单元直流偏置输出对母线保护 ... The reason for DC bias of a merging unit when the sampling circuit is ...
#91. Basic Knowledge of Inductors (2) - Panasonic Industrial Devices
However, actual inductors possess resistance components (DC ... of the magnetic saturation allowable current (DC bias allowable current), ...
#92. 低電阻測量-四線式精準測量0.01Ω的原理 - 實作派電子實驗室
提醒各位，每家廠商的LCR配件基本上都大同小異，我這裡只是以我手邊有的東西做說明而已。 Digest from Hioki DC bias current unit. 本篇同步刊載於 ...
#93. Keithley 2400 標準系列SMU
60 W DC. V & I 範圍. 100 nV 至1100 V， 1 pA 至5 A. 準確度. 0.012% 6 位半. 最高速度. 2000 rdgs/s 至緩衝區. 2400 標準系列.
#94. Structure design and experimental research of a new ... - CNKI
Abstract：A new scheme of power transformer with DC bias compensation function is proposed in this paper.Firstly,the mathematical model of hysteresis of ...
#95. 探棒的原理及種類
0 訊號頻率內容(DC, Hz, kHz, MHz). 0 訊號源阻抗(電阻、電容、電感). 0 實體連接考量(DUT及儀錶). 0 儀錶輸入阻抗(50 ohm, 1 Mohm, 其他). 0 儀錶頻寬或上升時間.
#96. 訊號、系統與通訊原理 - 第 181 頁 - Google 圖書結果
為了避免相位反轉的問題,在振幅調變中訊息訊號 m(t)先加上一直流偏壓(DC bias)A 再與載波 A' c cos(2πfct)相乘,可得調變後之訊號為 AM 調變器如圖 4-5 所示圖 4-5 由 ...
dc bias原理 在 Re: [問題] constant gm bias 設計問題- 看板Electronics - 批踢踢 ... 的推薦與評價
※ 引述《Baneling (爆炸一哥)》之銘言：
: 標題: Re: [問題] constant gm bias 設計問題
: 時間: Wed Oct 3 00:15:08 2018
:
: ※ 引述《tomlin1106 (奇德)》之銘言：
: : 最近在研究constant gm bias電路遇到一些問題
: : gm=u Cox（W/L）（Vgs-Vt）
: : 是說gm如果要constant
: : 從上面式子分析Vgs也要constant
: : 以一般最簡單的兩個pmos和兩個nmos的bias看
: : 如果要解決gm 不隨Vdd變動的話
: : 是不是就是要消除電路上的channel length modulation？
: : 進而得到constant vgs？
: : 然後得到constant gm和constant Iref？
: : 如果這個理論成立
: : 想問一下一般設計constant gm所加的電阻是為了更加減少channel length modulation的
: : 影響嗎？
: : 還是為了讓bias更加穩定而已？
: : 最後為什麼要讓gm constant？
:
: 這個電路的關鍵是MOS的比例是1:4，其實也沒有什麼原因
:
: 跟High swing cascode current mirror一樣，在電流相同的情況下要讓底下的元件
:
: 其跨壓為Vov，電流相同尺寸差4倍，理想上Vov就差2倍，電阻上的跨壓就會被鎖在Vov/2
:
: 因此Vov/2=ID*R，那gm=2ID/Vov=1/R，就這樣而已...
:
: (不過說真的... 我也不知道為何這麼多教科書書要把這東西搞這麼複雜....)
:
: 在電路符合平方率的情況底下(偏壓在strong inversion)，可以讓gm只與R有關係
:
: 至於I要怎麼設計則是跟你的W/L有關係... 只要不讓MOS離開strong inversion
:
: MOS的gm就會只跟R有關。當然實際設計的時候R會有製程漂移的問題
:
: 為何要讓gm constant... 如果是類比電路，最大的好處就是固定放大器的頻寬(gm/C)
:
:
我覺得有些經驗分享一下好了，有錯誤的地方也請各位朋友指點一下
: --
: ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.173.168.183
: ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1538496910.A.5BA.html
: ※ 編輯: Baneling (1.173.168.183), 10/03/2018 00:17:18
: → MuPei5566: 如果考慮到PVT,勢必Bias voltage會飄移,假設要設計的電 10/03 08:08
: → MuPei5566: 路需要穩定的偏壓,是否有除了做BandGap以外的方式,協助 10/03 08:08
: → MuPei5566: Bias提供穩定電壓源? 10/03 08:09
我是覺得你可以先去看看Martin寫的AIC，我記得第二版有把Bias/reference拿出來講一講
一般的bias circuir其實是提供篇壓電流給放大器或者差動對，constant-gm的好處就是
能讓從bias circuit mirror出去的電流經過放大器，其gm會只與bias circuit的R有關係
固定gm有甚麼好處? gain是不敢說... 因為跟ro這種東西有關...
但起碼你的BW跟noise的量級會被定在一個範圍內
這裡有個迷思就是MOS的gate不是用固定電壓去bias決定它的特性的...
因此Bias Circuit的功用並非產生穩定電壓，它依然會受溫度影響
但可以確保的是放大器的gm變異會小很多，依然會有變化的原因是即使是constant-gm
裡面的電阻也是有溫度係數的....
如果要產生一個不受溫度影響的電壓(Reference)基本上還是要靠BGR這類的電路
但它的目的就不是產生一個電壓去偏壓MOS... 而是產生一個參考電壓(Vref)給系統用
例如LDO、ADC/DAC之類的電路，更廣泛的用途則是將Vref經過一個V/I轉換產生一個
好的電流源，通常current sterring DAC會需要這種電路，甚至PLL中Ring-based VCO
也會有這種應用...
當然這邊也有個迷思就是Vref有沒有可能設計在特定精確的電壓? (例如3/4VDD?)
個人覺得這也是很多初學會有的問題，簡單來說Vcm不一定要是VDD/2
但它要是一個穩定的值，同時Vref+到Vcm與Vref-到Vcm的壓差一樣就可以用了...
除非只單量測IP，不然應用在系統之中，電路設計考量的點還是比較廣...
簡單來說要把Bias跟Reference當作兩件事情分開看，用途不同不要混在一起
另外補充一下如果是真實在實作，電阻阻值一定會跑掉的... 通常不是用fuse或者
ROM+開關去把電阻值修正回來，就是設計一個電路能夠容忍阻值飄移都還能動...
前者成本就是額外電路，後者成本是電路需要over design(通常很over)。
或者... 請PE幫忙讓阻值不要飄那麼多，但基本上還是很難把電阻漂移量壓到很低
: 推 susuper: 大於4倍是有原因的,您可以推導consant gm的迴路分析，, A 10/03 12:33
: → susuper: C的loop跟PSR TRAN還有 transient responds都要考量唷 10/03 12:33
這樣講就把DC跟AC混在一起了，基本上差4倍就是為了constant-gm，原因我在內文說過了
你在算High swing cascode current mirror的bias的時候會去算AC嗎...
當然是讓下面那顆MOS的Vds=Vov擺幅才能到最大...
不管是Bias跟BGR它們都是有回路穩定度的問題
pole/zero都需要注意也都有可以補償的方式
但AC是AC，DC是DC，不要混在一起講.....
Transient就更廣了，看你是要討論VDD start-up的速度還是你的電路受到外在干擾
有kick back的問題，這兩類問題的處理方式略有不同
: 推 jamtu: constant gm 本來就不是為了準確度 10/03 16:34
: → jamtu: 因為gm=1/R的假設是square law成立 不成立就沒用 10/03 16:34
: → jamtu: 要真的準的東西 還是BGR比較可靠 10/03 16:35
恭喜你畢業啦~ 有看到你的口試過程，不知道有沒有機會看看你的博論
現在sensor也是我的工作內容之一，覺得你的研究對我來說很有參考價值...
: 推 cebelas: 所以重點是要去從系統上面想好你要const. 是誰 10/03 21:52
基本上這個電路的用途就是constant-gm 只是看需求是什麼...
但個人覺得很多情況下多一個BGR和V/I轉換電路，問題會少很多很多
constant-gm bias circuit受到電阻製程飄移的影響還是有點大
以上一些經驗分享，歡迎大家討論囉
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.173.185.183
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1538657287.A.3E8.html
一個電路如果你連DC都沒處理好還有後續嘛...?
原理我說了，就跟high swing cascode current mirror一樣
MOS diode只是為了產生一個偏壓，這個偏壓可以讓對面MOS底下元件的跨壓為Vov
那你在設計cascode current mirror的時候
會把串疊的電晶體放在產生偏壓的MOS diode底下嗎...?
M=4是因為電晶體符合平方率... 為了控制電阻上的跨壓所設計的
當然比例有可能會調整，因為現在的MOS並不一定是平方率
要先符合這些條件才有所謂的constant-gm...
如果不符合這個狀況(DC)，那去把MOS的比例弄到小於4意義是什麼...?
類比電路毛很多呀... 像處理製程的問題我內文不是也說了不少
但我個人是覺得先把基本的東西搞好，再來討論更艱深的東西...
如果連基本理論都沒辦法用很簡單的方式去說明，要如何設計出不容易掛掉的電路呢..?
※ 編輯: Baneling (1.173.185.183), 10/05/2018 00:31:54
... <看更多>